Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Букатин, А. С. - Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур
Букатин, А. С. - Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Букатин, А. С.
Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур
Издательство: СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова, 2021 г.
ISBN 978-5-91155-110-0
Автор: Букатин, А. С.
Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур
Издательство: СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова, 2021 г.
ISBN 978-5-91155-110-0
На полку
Электронный ресурс
Букатин, А. С.
Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур [Электронный ресурс]. – Санкт-Петербург : СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова, 2021. – 64 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/250505, https://e.lanbook.com/img/cover/book/250505.jpg. – Книга из коллекции СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова - Нанотехнологии. – На рус. яз. – ISBN 978-5-91155-110-0.
Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уменьшение ширины затворов транзисторов с единиц микрометров до нескольких десятков нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники, в том числе в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение, анализ возможностей и ограничений электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм, в том числе на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.
620.3
основной = ЭБС Лань
Букатин, А. С.
Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур [Электронный ресурс]. – Санкт-Петербург : СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова, 2021. – 64 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/250505, https://e.lanbook.com/img/cover/book/250505.jpg. – Книга из коллекции СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова - Нанотехнологии. – На рус. яз. – ISBN 978-5-91155-110-0.
Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уменьшение ширины затворов транзисторов с единиц микрометров до нескольких десятков нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники, в том числе в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение, анализ возможностей и ограничений электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм, в том числе на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.
620.3
основной = ЭБС Лань