Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Васильев, В. Ю. - Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборуд...
Васильев, В. Ю. - Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборуд...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Васильев, В. Ю.
Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборуд... : учебное пособие для вузов
Издательство: Лань, 2024 г.
ISBN 978-5-507-48885-8
Автор: Васильев, В. Ю.
Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборуд... : учебное пособие для вузов
Издательство: Лань, 2024 г.
ISBN 978-5-507-48885-8
На полку
Электронный ресурс
Васильев, В. Ю.
Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборудование, методология, особенности роста [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов. – Санкт-Петербург : Лань, 2024. – 344 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/400850, https://e.lanbook.com/img/cover/book/400850.jpg. – Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-48885-8.
В книге представлена совокупность информации о процессах химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) неорганических тонкопленочных покрытий (ТП), являющихся конструкционной основой современных электронных приборов. Рассмотрены эволюционные изменения задач и подходов к получению ТП методами ХОГФ: типы и выбор реагентов, многочисленные варианты конструкций оборудования, выбор условий получения ТП. Проанализирована методология исследований и разработки процессов осаждения. Приведены основные примеры исследований кинетики роста тонких пленок диэлектрических, поликристаллических и проводящих материалов, проанализированы особенности процессов роста тонких пленок, в том числе процессы образования неприемлемой для электронных технологий аэрозольной фазы — макродефектов в приборах. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ тонких пленок с их ростовыми характеристиками. Предложены схемы процессов роста, учитывающие общее и особенное в процессах ХОГФ. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ и закономерности роста пленок на ступенчатых рельефах трехмерных структур электронных приборов. Количественно показаны границы эффективности использования различных процессов ХОГФ для реальных структур электронных приборов. Рекомендуется для студентов старших курсов высших учебных заведений, аспирантов, исследователей и инженеров, работающих в области микроэлектронных технологий.
669.04
основной = ЭБС Лань
основной = дайджест апрель 2024
Васильев, В. Ю.
Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборудование, методология, особенности роста [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов. – Санкт-Петербург : Лань, 2024. – 344 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/400850, https://e.lanbook.com/img/cover/book/400850.jpg. – Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-48885-8.
В книге представлена совокупность информации о процессах химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) неорганических тонкопленочных покрытий (ТП), являющихся конструкционной основой современных электронных приборов. Рассмотрены эволюционные изменения задач и подходов к получению ТП методами ХОГФ: типы и выбор реагентов, многочисленные варианты конструкций оборудования, выбор условий получения ТП. Проанализирована методология исследований и разработки процессов осаждения. Приведены основные примеры исследований кинетики роста тонких пленок диэлектрических, поликристаллических и проводящих материалов, проанализированы особенности процессов роста тонких пленок, в том числе процессы образования неприемлемой для электронных технологий аэрозольной фазы — макродефектов в приборах. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ тонких пленок с их ростовыми характеристиками. Предложены схемы процессов роста, учитывающие общее и особенное в процессах ХОГФ. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ и закономерности роста пленок на ступенчатых рельефах трехмерных структур электронных приборов. Количественно показаны границы эффективности использования различных процессов ХОГФ для реальных структур электронных приборов. Рекомендуется для студентов старших курсов высших учебных заведений, аспирантов, исследователей и инженеров, работающих в области микроэлектронных технологий.
669.04
основной = ЭБС Лань
основной = дайджест апрель 2024