Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гермогенов, В. П. - Полупроводниковые материалы и структуры
Гермогенов, В. П. - Полупроводниковые материалы и структуры
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Гермогенов, В. П.
Полупроводниковые материалы и структуры : учебное пособие для вузов
Издательство: Лань, 2026 г.
ISBN 978-5-507-53663-4
Автор: Гермогенов, В. П.
Полупроводниковые материалы и структуры : учебное пособие для вузов
Издательство: Лань, 2026 г.
ISBN 978-5-507-53663-4
На полку
Электронный ресурс
Гермогенов, В. П.
Полупроводниковые материалы и структуры [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов. – Санкт-Петербург : Лань, 2026. – 524 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/513470, https://e.lanbook.com/img/cover/book/513470.jpg. – Книга из коллекции Лань - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-53663-4.
В учебном пособии рассмотрены основные понятия физики полупроводников, свойства важных полупроводниковых материалов и характеристики полупроводниковых барьерных структур (барьеров Шоттки, p–n-переходов, гетеропереходов, МДП-структур). Обсуждаются принципы действия, основные характеристики и конструкции различных типов полупроводниковых приборов. Дано представление о технологических операциях при изготовлении полупроводниковых структур и интегральных микросхем. Пособие предназначено для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и выпускников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.
621.382
основной = ЭБС Лань
Гермогенов, В. П.
Полупроводниковые материалы и структуры [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов. – Санкт-Петербург : Лань, 2026. – 524 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/513470, https://e.lanbook.com/img/cover/book/513470.jpg. – Книга из коллекции Лань - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-53663-4.
В учебном пособии рассмотрены основные понятия физики полупроводников, свойства важных полупроводниковых материалов и характеристики полупроводниковых барьерных структур (барьеров Шоттки, p–n-переходов, гетеропереходов, МДП-структур). Обсуждаются принципы действия, основные характеристики и конструкции различных типов полупроводниковых приборов. Дано представление о технологических операциях при изготовлении полупроводниковых структур и интегральных микросхем. Пособие предназначено для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и выпускников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.
621.382
основной = ЭБС Лань