Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вавилов, Виктор Сергеевич - Действие излучений на полупроводники
Вавилов, Виктор Сергеевич - Действие излучений на полупроводники
Экз. чит. зала
Книга
Автор: Вавилов, Виктор Сергеевич
Действие излучений на полупроводники
Издательство: Физматгиз, 1963 г.
ISBN отсутствует
Автор: Вавилов, Виктор Сергеевич
Действие излучений на полупроводники
Издательство: Физматгиз, 1963 г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга
537.42 В121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Действие излучений на полупроводники / Виктор Сергеевич Вавилов. – Москва : Физматгиз, 1963. – 264 с. – Суперобложка. – Библиогр.: с. 257-264. – На рус. яз. : 0.85.
В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизания и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное равновесное состояние. В отдельной главе содержатся данные об излучательной рекомбинации в полупроводниках. Приведены основы теории возникновения структурных дефектов в полупроводниках под действием жесткой радиации и экспериментальные данные об изменениях физических свойств полупроводников, обусловленных такими дефектами. Книга предназначается для научных сотрудников, занимающихся физикой полупроводников и близкими к ней вопросами физики твердого тела, для читателей, работающих в области практического использования полупроводников в инфракрасной технике, энергетике и экспериментальной ядерной физике, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.
00000001179251 Депозит_Н 537.42 В121
00000001179250 Депозит_Н 537.42 В121
537.42 В121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Действие излучений на полупроводники / Виктор Сергеевич Вавилов. – Москва : Физматгиз, 1963. – 264 с. – Суперобложка. – Библиогр.: с. 257-264. – На рус. яз. : 0.85.
В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизания и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное равновесное состояние. В отдельной главе содержатся данные об излучательной рекомбинации в полупроводниках. Приведены основы теории возникновения структурных дефектов в полупроводниках под действием жесткой радиации и экспериментальные данные об изменениях физических свойств полупроводников, обусловленных такими дефектами. Книга предназначается для научных сотрудников, занимающихся физикой полупроводников и близкими к ней вопросами физики твердого тела, для читателей, работающих в области практического использования полупроводников в инфракрасной технике, энергетике и экспериментальной ядерной физике, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.
00000001179251 Депозит_Н 537.42 В121
00000001179250 Депозит_Н 537.42 В121