Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воробьева, Наталья Викторовна - Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомаг...
Воробьева, Наталья Викторовна - Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомаг...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Воробьева, Наталья Викторовна
Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомаг... : Монография
Издательство: БГПУ имени М. Акмуллы, 2014 г.
ISBN 978-5-87978-898-3
Автор: Воробьева, Наталья Викторовна
Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомаг... : Монография
Издательство: БГПУ имени М. Акмуллы, 2014 г.
ISBN 978-5-87978-898-3
Электронный ресурс
22.334
Воробьева, Наталья Викторовна.
Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомагнитные эффекты в иттрийжелезистых гранатах [Электронный ресурс] : Монография / Н. В. Воробьева, А. Н. Лачинов ; М-во образования и науки РФ, ФГБОУ ВПО "Башеирский гос. пед. ун-т им. М. Акмуллы". – Уфа : БГПУ имени М. Акмуллы, 2014. – 176 с. – Режим доступа : http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=72568. – Для авторизованных пользователей МПГУ. – Книга из коллекции БГПУ имени М. Акмуллы - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-87978-898-3.
Данная монография представляет собой результаты исследования фундаментальной проблемы физики магнитных явлений – влияния магнитного поля на электронный транспорт в различных средах. Изложены краткие теоретические основы спинтроники, представлены основные направления исследований перспективных материалов и структур для магниторезистивных явлений в области наноэлектроники. Выделены два магистральных направления развития структур для спинтроники и магноники: монокристаллические материалы с дефектами и многослойные гетероструктуры с полимерным слоем. Для первого направления подробно рассмотрены иттрий-железистые гранаты (ИЖГ). Описаны проявления фотомагнитных свойств для ИЖГ с различным допированием. Предназначена для преподавателей и научных сотрудников, работающих в области физики конденсированного состояния, студентов старших курсов, изучающих спинтронику и наноэлектронику.
ББК 22.334
537.9
основной = физика : электричество и магнетизм : магнетизм
основной = виды изданий : научные издания : монографии
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
основной = Лань (СЭБ) сделано
22.334
Воробьева, Наталья Викторовна.
Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомагнитные эффекты в иттрийжелезистых гранатах [Электронный ресурс] : Монография / Н. В. Воробьева, А. Н. Лачинов ; М-во образования и науки РФ, ФГБОУ ВПО "Башеирский гос. пед. ун-т им. М. Акмуллы". – Уфа : БГПУ имени М. Акмуллы, 2014. – 176 с. – Режим доступа : http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=72568. – Для авторизованных пользователей МПГУ. – Книга из коллекции БГПУ имени М. Акмуллы - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-87978-898-3.
Данная монография представляет собой результаты исследования фундаментальной проблемы физики магнитных явлений – влияния магнитного поля на электронный транспорт в различных средах. Изложены краткие теоретические основы спинтроники, представлены основные направления исследований перспективных материалов и структур для магниторезистивных явлений в области наноэлектроники. Выделены два магистральных направления развития структур для спинтроники и магноники: монокристаллические материалы с дефектами и многослойные гетероструктуры с полимерным слоем. Для первого направления подробно рассмотрены иттрий-железистые гранаты (ИЖГ). Описаны проявления фотомагнитных свойств для ИЖГ с различным допированием. Предназначена для преподавателей и научных сотрудников, работающих в области физики конденсированного состояния, студентов старших курсов, изучающих спинтронику и наноэлектронику.
ББК 22.334
537.9
основной = физика : электричество и магнетизм : магнетизм
основной = виды изданий : научные издания : монографии
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
основной = Лань (СЭБ) сделано