Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воронов, Юрий Александрович - Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур
Воронов, Юрий Александрович - Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Воронов, Юрий Александрович
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур : Учебное пособие для вузов
Издательство: НИЯУ МИФИ, 2012 г.
ISBN 978-5-7262-1730-7
Автор: Воронов, Юрий Александрович
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур : Учебное пособие для вузов
Издательство: НИЯУ МИФИ, 2012 г.
ISBN 978-5-7262-1730-7
На полку
Электронный ресурс
32.853.1я73
Воронов, Юрий Александрович.
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур [Электронный ресурс] : Учебное пособие для вузов / Ю. А. Воронов, С. Ю. Касков, О. Р. Мочалкина ; М-во образования и науки Российской Федерации, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". – Москва : НИЯУ МИФИ, 2012. – 80 с. – Режим доступа : http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726. – Библиогр.: с. 71-72. – Для авторизованных пользователей МПГУ. – Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-7262-1730-7.
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике.
ББК 32.853.1я73
ББК 15.12я73
ББК 24.121.42я73
621.382(075.8)
техника = техника : радиоэлектроника : электроника : твердотельная электроника : полупроводниковые приборы
основной = междисциплинарное знание : кибернетика в междисциплинарном знании : процесс управления : моделирование процесса управления : математическое моделирование
техника = техника : радиотехника
основной = химия : общая и неорганическая химия : отдельные химические элементы и их соединения : четырнадцатая группа периодической системы : кремний
техника = техника : радиоэлектроника : электроника : твердотельная электроника : полупроводниковые приборы : полупроводниковые триоды : транзисторы
основной = виды изданий : учебные издания
основной = читательское назначение : вузы
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
основной = Лань (СЭБ) сделано
32.853.1я73
Воронов, Юрий Александрович.
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур [Электронный ресурс] : Учебное пособие для вузов / Ю. А. Воронов, С. Ю. Касков, О. Р. Мочалкина ; М-во образования и науки Российской Федерации, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". – Москва : НИЯУ МИФИ, 2012. – 80 с. – Режим доступа : http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726. – Библиогр.: с. 71-72. – Для авторизованных пользователей МПГУ. – Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-7262-1730-7.
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике.
ББК 32.853.1я73
ББК 15.12я73
ББК 24.121.42я73
621.382(075.8)
техника = техника : радиоэлектроника : электроника : твердотельная электроника : полупроводниковые приборы
основной = междисциплинарное знание : кибернетика в междисциплинарном знании : процесс управления : моделирование процесса управления : математическое моделирование
техника = техника : радиотехника
основной = химия : общая и неорганическая химия : отдельные химические элементы и их соединения : четырнадцатая группа периодической системы : кремний
техника = техника : радиоэлектроника : электроника : твердотельная электроника : полупроводниковые приборы : полупроводниковые триоды : транзисторы
основной = виды изданий : учебные издания
основной = читательское назначение : вузы
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
основной = Лань (СЭБ) сделано