Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данилов В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Данилов В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Данилов В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учеб. пособие
Издательство: НГТУ, 2017 г.
ISBN 978-5-7782-3369-0
Автор: Данилов В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учеб. пособие
Издательство: НГТУ, 2017 г.
ISBN 978-5-7782-3369-0
На полку
Электронный ресурс
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов [Электронный ресурс] : учеб. пособие. – Новосибирск : НГТУ, 2017. – 418 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/118456, https://e.lanbook.com/img/cover/book/118456.jpg. – Книга из коллекции НГТУ - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-3369-0.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов [Электронный ресурс] : учеб. пособие. – Новосибирск : НГТУ, 2017. – 418 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/118456, https://e.lanbook.com/img/cover/book/118456.jpg. – Книга из коллекции НГТУ - Физика. – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-3369-0.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань