Электронный каталог

👓
eng|rus
Библиотека Московского Педагогического
Государственного Университета

Адрес: ул. М. Пироговская, д. 1, стр.1
Телефон: 8(499)255-27-57
Часы работы: с 10.00 до 18.00

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По образовательным программам
    • Список дисциплин

  • Статистика поисков
  • Электронная библиотека
  • База выпускных квалификационных работ
  • Электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Тяжлов В. С. - Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах

Тяжлов В. С. - Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах

Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Тяжлов В. С.
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах : учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Издательство: СГУ, 2019 г.
ISBN 978-5-292-04600-4

полный текст

полный текст

На полку На полку


Электронный ресурс

Тяжлов, В. С.
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. – Саратов : СГУ, 2019. – 36 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/148852, https://e.lanbook.com/img/cover/book/148852.jpg. – Книга из коллекции СГУ - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-292-04600-4.

На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».

621.372.2

основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань




© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2026  v.20.203