Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дорохин М. В. - Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с ...
Дорохин М. В. - Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с ...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Дорохин М. В.
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с ... : электронное учебно-методическое пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012 г.
ISBN отсутствует
Автор: Дорохин М. В.
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с ... : электронное учебно-методическое пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012 г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Дорохин, М. В.
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером [Электронный ресурс] : электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012. – 84 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/152905, https://e.lanbook.com/img/cover/book/152905.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В учебно-методическом пособии рассмотрены свойства полупроводниковых биполярных транзисторов. Показаны основные схемы включения транзисторов, описаны основные характеристики. Также рассмотрены приборы на основе биполярных транзисторов – усилители низкой частоты. Описаны физические принципы работы усилителей, детально рассмотрена схема усилителя с общим эмиттером. Даны рекомендации по выбору рабочей точки и расчёту параметров схемы усилителя с общим эмиттером. Даны методические рекомендации по выполнению экспериментальных заданий пособия с использованием платы NI ELVIS II. Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники».
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Дорохин, М. В.
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером [Электронный ресурс] : электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012. – 84 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/152905, https://e.lanbook.com/img/cover/book/152905.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В учебно-методическом пособии рассмотрены свойства полупроводниковых биполярных транзисторов. Показаны основные схемы включения транзисторов, описаны основные характеристики. Также рассмотрены приборы на основе биполярных транзисторов – усилители низкой частоты. Описаны физические принципы работы усилителей, детально рассмотрена схема усилителя с общим эмиттером. Даны рекомендации по выбору рабочей точки и расчёту параметров схемы усилителя с общим эмиттером. Даны методические рекомендации по выполнению экспериментальных заданий пособия с использованием платы NI ELVIS II. Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники».
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань