Электронный каталог

👓
eng|rus
Библиотека Московского Педагогического
Государственного Университета

Адрес: ул. М. Пироговская, д. 1, стр.1
Телефон: 8(499)255-27-57
Часы работы: с 10.00 до 18.00

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По образовательным программам
    • Список дисциплин

  • Статистика поисков
  • Электронная библиотека
  • База выпускных квалификационных работ
  • Электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Дорохин М. В. - Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур

Дорохин М. В. - Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур

Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Дорохин М. В.
Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур : учебно-методическое пособие для студентов, обучающихся по направлению 210600 «нанотехнология»
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2011 г.
ISBN отсутствует

полный текст

полный текст

На полку На полку


Электронный ресурс

Дорохин, М. В.
Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие для студентов, обучающихся по направлению 210600 «нанотехнология». – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2011. – 81 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/152906, https://e.lanbook.com/img/cover/book/152906.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.

Описаны основные свойства поляризованных электромагнитных волн, методы генерации и источники циркулярно-поляризованного излучения. Рассмотрены основные виды спиновых светодиодов, испускающих циркулярно-поляризованное излучение, геометрия и конструкция диодов, материалы, наиболее часто используемые для изготовления. Описаны основные подходы и методики измерений циркулярной поляризации электролюминесценции на примере светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs. Для студентов старших курсов, специализирующихся по направлению 210600 «Нанотехнология», студентов магистратуры и аспирантов, слушающих курсы в области и наноэлектроникии ведущих исследования в соответствующей области.

537.632.5, 535.47

основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань




© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2026  v.20.203