Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Филатов Д. О. - Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д. О. - Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Филатов Д. О.
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si : учебное пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010 г.
ISBN отсутствует
Автор: Филатов Д. О.
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si : учебное пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Филатов, Д. О.
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si [Электронный ресурс] : учебное пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010. – 118 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/152975, https://e.lanbook.com/img/cover/book/152975.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В пособии описаны процессы роста, особенности энергетического спектра, оптических и фотоэлектрических явлений в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si(001), а также приборные применения данных гетероструктур. Значительное внимание уделено исследованиям гетероструктур с самоформирующихся наноостровками GeSi/Si(001), выполненным в Нижегородском университете. Пособие рекомендуется студентам старших курсов, специализирующимся по специальностям 202100 – «Нанотехнология в электронике» и 200.200 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», студентам магистратуры и аспирантам, слушающим курсы в области физики низкоразмерных твердотельных структур и ведущим исследования в соответствующей области.
538.911
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Филатов, Д. О.
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si [Электронный ресурс] : учебное пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010. – 118 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/152975, https://e.lanbook.com/img/cover/book/152975.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В пособии описаны процессы роста, особенности энергетического спектра, оптических и фотоэлектрических явлений в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si(001), а также приборные применения данных гетероструктур. Значительное внимание уделено исследованиям гетероструктур с самоформирующихся наноостровками GeSi/Si(001), выполненным в Нижегородском университете. Пособие рекомендуется студентам старших курсов, специализирующимся по специальностям 202100 – «Нанотехнология в электронике» и 200.200 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», студентам магистратуры и аспирантам, слушающим курсы в области физики низкоразмерных твердотельных структур и ведущим исследования в соответствующей области.
538.911
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань