Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганичес...
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганичес...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор:
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганичес... : описание лабораторной работы
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганичес... : описание лабораторной работы
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Электронный ресурс] : описание лабораторной работы. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999. – 16 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153072, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Химия. – На рус. яз.
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Электронный ресурс] : описание лабораторной работы. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999. – 16 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153072, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Химия. – На рус. яз.
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань