Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор:
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015 г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015. – 13 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153137, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153137.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 03.04.02 «Физика». – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
Целью данной работы является ознакомление с особенностями выращивания эпитаксиальных слоев кремния, кремний-германия методом молекулярно-лучевой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым источником германия, а также знакомство с вакуумным технологическим оборудованием. Рассматривается влияние основных условий роста и технологических параметров на качество эпитаксиальных слоев. Приводится сравнение данного метода с другими методами выращивания эпитаксиальных слоев кремния и германия (газофазная эпитаксия и молекулярно-лучевая эпитаксия с испарением электронным лучом). Практикум предназначен для магистров физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 03.04.02 «Физика».
621.315.592.61
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с газовым источником германия [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015. – 13 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153137, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153137.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 03.04.02 «Физика». – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
Целью данной работы является ознакомление с особенностями выращивания эпитаксиальных слоев кремния, кремний-германия методом молекулярно-лучевой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым источником германия, а также знакомство с вакуумным технологическим оборудованием. Рассматривается влияние основных условий роста и технологических параметров на качество эпитаксиальных слоев. Приводится сравнение данного метода с другими методами выращивания эпитаксиальных слоев кремния и германия (газофазная эпитаксия и молекулярно-лучевая эпитаксия с испарением электронным лучом). Практикум предназначен для магистров физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 03.04.02 «Физика».
621.315.592.61
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань