Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дорохин М. В. - Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур
Дорохин М. В. - Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Дорохин М. В.
Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур : электронное учебно-методическое пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012 г.
ISBN отсутствует
Автор: Дорохин М. В.
Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур : электронное учебно-методическое пособие
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Дорохин, М. В.
Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур [Электронный ресурс] : электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012. – 80 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153291, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153291.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В учебно-методическом пособии рассмотрены основные виды приборов на спинзависимых эффектах, материалы, наиболее часто используемые для их изготовления. Описаны основные методы исследования полупроводниковых приборов, а также дополнительные методы исследования спин-зависимых характеристик. Рассмотрены основные гальваномагнитные явления в твердых телах (эффект Холла) и особенности их проявления в ферромагнитных материалах. Описаны возможные реализации экспериментальных исследований эффекта Холла и магнетосопротивления в ферромагнитных металлических и полупроводниковых наноструктурах. Описаны основные подходы и методики измерений циркулярной поляризации электролюминесценции в светоизлучающих диодах на основе ферромагнитных наноструктур. Рассмотрены возможности совместного исследования гальваномагнитных эффектов и люминесценции в полупроводниковых ферромагнитных квантово-размерных структурах с целью комплексного анализа их свойств на примере гетероструктур InGaAs/GaAs/GaMnAs. Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Спинтроника», и по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Материалы и методы нанотехнологии».
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Дорохин, М. В.
Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур [Электронный ресурс] : электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012. – 80 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153291, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153291.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В учебно-методическом пособии рассмотрены основные виды приборов на спинзависимых эффектах, материалы, наиболее часто используемые для их изготовления. Описаны основные методы исследования полупроводниковых приборов, а также дополнительные методы исследования спин-зависимых характеристик. Рассмотрены основные гальваномагнитные явления в твердых телах (эффект Холла) и особенности их проявления в ферромагнитных материалах. Описаны возможные реализации экспериментальных исследований эффекта Холла и магнетосопротивления в ферромагнитных металлических и полупроводниковых наноструктурах. Описаны основные подходы и методики измерений циркулярной поляризации электролюминесценции в светоизлучающих диодах на основе ферромагнитных наноструктур. Рассмотрены возможности совместного исследования гальваномагнитных эффектов и люминесценции в полупроводниковых ферромагнитных квантово-размерных структурах с целью комплексного анализа их свойств на примере гетероструктур InGaAs/GaAs/GaMnAs. Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Спинтроника», и по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Материалы и методы нанотехнологии».
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань