Электронный каталог

Электронный ресурс

Дорохин, М. В.
Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика [Электронный ресурс] : электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013. – 75 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153364, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика. – На рус. яз.

Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено описание вакуумных методов, в том числе, метода электронно-лучевого испарения. Предложено выполнение практической работы по формированию и исследованию диода Шоттки. Для студентов старших курсов, специализирующихся по направлению 210600 «Нанотехнология», студентов магистратуры и аспирантов, слушающих курсы в области наноэлектроники и ведущих исследования в соответствующей области.

537.632.5, 535.47

основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань