Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тихов С. В. - Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами
Тихов С. В. - Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Тихов С. В.
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010 г.
ISBN отсутствует
Автор: Тихов С. В.
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Тихов, С. В.
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010. – 16 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153375, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике». – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов.
621.38
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Тихов, С. В.
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010. – 16 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153375, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике». – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов.
621.38
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань