Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффе...
Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффе...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор:
Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффе... : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2014 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффе... : практикум
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2014 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффекта Холла [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2014. – 17 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153414, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153414.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 210100 - Электроника и наноэлектроника, 222900 - Нанотехнологии и микросистемная техника. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
Данная работа является частью лабораторного практикума по курсу "Физика полупроводников". В ней изложены основы статистики электронов и дырок, описана методика определения из измерения электропроводности и эффекта Холла основных параметров полупроводника - ширины запрещенной зоны, концентрации и подвижности носителей. Практикум предназначен для студентов старших курсов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлениям 210100 – Электроника и наноэлектроника и 222900 – Нанотехнологии и микросистемная техника.
537.633.2
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань
Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффекта Холла [Электронный ресурс] : практикум. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2014. – 17 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/153414, https://e.lanbook.com/img/cover/book/153414.jpg. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 210100 - Электроника и наноэлектроника, 222900 - Нанотехнологии и микросистемная техника. – Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. – На рус. яз.
Данная работа является частью лабораторного практикума по курсу "Физика полупроводников". В ней изложены основы статистики электронов и дырок, описана методика определения из измерения электропроводности и эффекта Холла основных параметров полупроводника - ширины запрещенной зоны, концентрации и подвижности носителей. Практикум предназначен для студентов старших курсов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлениям 210100 – Электроника и наноэлектроника и 222900 – Нанотехнологии и микросистемная техника.
537.633.2
основной = ЭБС Лань (СЭБ)
основной = ЭБС Лань