Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александрова, О. А. - Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост
Александрова, О. А. - Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов
Издательство: Лань, 2023 г.
ISBN 978-5-507-45481-5
Автор: Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов
Издательство: Лань, 2023 г.
ISBN 978-5-507-45481-5
На полку
Электронный ресурс
Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост [Электронный ресурс] : учебник для вузов / Александрова О. А., Мараева Е. В. – Санкт-Петербург : Лань, 2023. – 216 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/302363, https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg. – Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-45481-5.
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
621.3.049.77.002.3(07)
основной = ЭБС Лань
Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост [Электронный ресурс] : учебник для вузов / Александрова О. А., Мараева Е. В. – Санкт-Петербург : Лань, 2023. – 216 с. – Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/302363, https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg. – Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. – На рус. яз. – ISBN 978-5-507-45481-5.
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
621.3.049.77.002.3(07)
основной = ЭБС Лань