Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Волкова, Н. С. - Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками i...
Волкова, Н. С. - Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками i...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Волкова, Н. С.
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками i...
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022 г.
ISBN отсутствует
Автор: Волкова, Н. С.
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками i...
Издательство: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022 г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Волкова, Н. С.
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум [Электронный ресурс] . - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022 . - 22 с. - Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/344882, https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg . - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки . - На рус. яз.
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-размерном слое. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
621.315.592
основной = ЭБС Лань
Волкова, Н. С.
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум [Электронный ресурс] . - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022 . - 22 с. - Режим доступа : https://e.lanbook.com/book/344882, https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg . - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки . - На рус. яз.
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-размерном слое. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
621.315.592
основной = ЭБС Лань