Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Винецкий, Валентин Львович - Радиационная физика полупроводников
Винецкий, Валентин Львович - Радиационная физика полупроводников
Экз. чит. зала
Книга
Автор: Винецкий, Валентин Львович
Радиационная физика полупроводников
Издательство: Наук. думка, 1979 г.
ISBN отсутствует
Автор: Винецкий, Валентин Львович
Радиационная физика полупроводников
Издательство: Наук. думка, 1979 г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга
537.42 В485
Винецкий, Валентин Львович.
Радиационная физика полупроводников / Валентин Львович Винецкий, Галина Антоновна Холодарь. – Киев : Наук. думка, 1979. – 336 с. : рис. – Библиогр.: с.323-332. – На рус. яз. : 3.70.
В монографии изложены основные представления современной радиационной физики полупроводников: природа радиационных дефектов; механизм их образования, перестройки и аннигиляции; пространственное распределение и диффузия дефектов; влияние радиационных дефектов на физические свойства полупроводника. Рассмотрены ориентационные эффекты в полупроводниках, лазерное облучение полупроводников, радиационно-стимулированная диффузия, а также вопрос о радиационной стойкости полупроводников, имеющий большое прикладное значение. Общие положения радиационной физики иллюстрируются рассмотрением радиационных эффектов в различных группах кристаллов алмазоподобных полупроводниках, полупроводниковых соединениях и щелочно-галоидных кристаллах. Рассчитана на специалистов, занимающихся физикой и техническими применениями полупроводников. Может быть полезна студентам вузов.
00000001179319 Депозит_Н 537.42 В485
537.42 В485
Винецкий, Валентин Львович.
Радиационная физика полупроводников / Валентин Львович Винецкий, Галина Антоновна Холодарь. – Киев : Наук. думка, 1979. – 336 с. : рис. – Библиогр.: с.323-332. – На рус. яз. : 3.70.
В монографии изложены основные представления современной радиационной физики полупроводников: природа радиационных дефектов; механизм их образования, перестройки и аннигиляции; пространственное распределение и диффузия дефектов; влияние радиационных дефектов на физические свойства полупроводника. Рассмотрены ориентационные эффекты в полупроводниках, лазерное облучение полупроводников, радиационно-стимулированная диффузия, а также вопрос о радиационной стойкости полупроводников, имеющий большое прикладное значение. Общие положения радиационной физики иллюстрируются рассмотрением радиационных эффектов в различных группах кристаллов алмазоподобных полупроводниках, полупроводниковых соединениях и щелочно-галоидных кристаллах. Рассчитана на специалистов, занимающихся физикой и техническими применениями полупроводников. Может быть полезна студентам вузов.
00000001179319 Депозит_Н 537.42 В485