Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вавилов, Виктор Сергеевич - Действие излучений на полупроводники
Вавилов, Виктор Сергеевич - Действие излучений на полупроводники
Экз. чит. зала
Книга
Автор: Вавилов, Виктор Сергеевич
Действие излучений на полупроводники : Учеб. руководство
Серия: Главная редакция физико-математической литературы
Издательство: Наука, 1988 г.
ISBN 5-02-013834-7
Автор: Вавилов, Виктор Сергеевич
Действие излучений на полупроводники : Учеб. руководство
Серия: Главная редакция физико-математической литературы
Издательство: Наука, 1988 г.
ISBN 5-02-013834-7
На полку
Книга
537.42 В121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Действие излучений на полупроводники : Учеб. руководство / Виктор Сергеевич Вавилов ; авт. Нодар Проклиевич Кекелидзе, Леонид Стапанович Смирнов. – Москва : Наука, 1988. – 192 с. : рис. – (Главная редакция физико-математической литературы). – Библиогр.: с. 180-181. – На рус. яз. – ISBN 5-02-013834-7 : 1.20.
Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под воздействием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов. Основное внимание обращено на анализ первичных процессов, таких, как фотоионизация и ионизация заряженными частицами, внедрение ускоренных попов примесей (ионная имплантация), влияние ядерных реакций на свойства полупроводников, а также возникновение радиационных нарушений кристаллической структуры, их устойчивость и энергетический спектр. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, физики полупроводников и твердотельной электроники, а также для инженеров и технологов.
00000001179252 Депозит_Н 537.42 В121
537.42 В121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Действие излучений на полупроводники : Учеб. руководство / Виктор Сергеевич Вавилов ; авт. Нодар Проклиевич Кекелидзе, Леонид Стапанович Смирнов. – Москва : Наука, 1988. – 192 с. : рис. – (Главная редакция физико-математической литературы). – Библиогр.: с. 180-181. – На рус. яз. – ISBN 5-02-013834-7 : 1.20.
Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под воздействием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов. Основное внимание обращено на анализ первичных процессов, таких, как фотоионизация и ионизация заряженными частицами, внедрение ускоренных попов примесей (ионная имплантация), влияние ядерных реакций на свойства полупроводников, а также возникновение радиационных нарушений кристаллической структуры, их устойчивость и энергетический спектр. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, физики полупроводников и твердотельной электроники, а также для инженеров и технологов.
00000001179252 Депозит_Н 537.42 В121