Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Морозов, А. И. - Фрустрированные магнитные наноструктуры
Морозов, А. И. - Фрустрированные магнитные наноструктуры
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Морозов, А. И.
Фрустрированные магнитные наноструктуры
Издательство: Физматлит, 2017 г.
ISBN 978-5-9221-1717-3
Автор: Морозов, А. И.
Фрустрированные магнитные наноструктуры
Издательство: Физматлит, 2017 г.
ISBN 978-5-9221-1717-3
На полку
Электронный ресурс
Морозов, А. И.
Фрустрированные магнитные наноструктуры. – Москва : Физматлит, 2017. – 141 с. : граф., схем., ил. – Режим доступа : http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=485276. – http://biblioclub.ru/. – Библиогр. в кн. – На рус. яз. – ISBN 978-5-9221-1717-3.
В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик–Антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Построены фазовые диаграммы «толщина слоя (слоев) – шероховатость» тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик–антиферромагнетик–ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик–антиферромагнетик является наличие взаимно-перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев.Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком.Для научных работников и специалистов в области магнитоэлектроники и магнитных наноструктур.
537.6
538.9
основной = ЭБС Университетская библиотека
Морозов, А. И.
Фрустрированные магнитные наноструктуры. – Москва : Физматлит, 2017. – 141 с. : граф., схем., ил. – Режим доступа : http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=485276. – http://biblioclub.ru/. – Библиогр. в кн. – На рус. яз. – ISBN 978-5-9221-1717-3.
В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик–Антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Построены фазовые диаграммы «толщина слоя (слоев) – шероховатость» тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик–антиферромагнетик–ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик–антиферромагнетик является наличие взаимно-перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев.Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком.Для научных работников и специалистов в области магнитоэлектроники и магнитных наноструктур.
537.6
538.9
основной = ЭБС Университетская библиотека