Электронный каталог

👓
eng|rus
Библиотека Московского Педагогического
Государственного Университета

Адрес: ул. М. Пироговская, д. 1, стр.1
Телефон: 8(499)255-27-57
Часы работы: с 10.00 до 18.00

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По образовательным программам
    • Список дисциплин

  • Статистика поисков
  • Электронная библиотека
  • База выпускных квалификационных работ
  • Электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Хусяиное, Д. И. - Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs

Хусяиное, Д. И. - Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs

Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Хусяиное, Д. И.
Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs : магистерская диссертация
2018 г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку На полку


Электронный ресурс

Хусяиное, Д. И.
Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs : магистерская диссертация. – Москва, 2018. – 83 с. : ил., табл., схем. – Режим доступа : http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=491657. – http://biblioclub.ru/. – Библиогр. в кн. – На рус. яз.

Диссертация содержит 82 страницы, 29 рисунков, 1 таблицу, 70 источников. Актуальность предлагаемого исследования обусловлена быстро развивающейся сферой терагерцевой спектроскопии и терагерцевой визуализации. В качестве генераторов и детекторов терагерцевого излучения используются фотопроводящие терагерцевые антенны. В данный момент актуальным направлением исследования является поиск новых материалов или модификация традиционных полупроводников для использования в качестве функционального слоя для терагерцевых антенн. Одним из традиционных материалов является InGaAs, его преимущество состоит в том, что он хорошо подходит для оптического возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне, но также он имеет недостатки. Одним из недостатков являет низкое удельное сопротивление, что снижает напряжение пробоя и увеличивает шум. Для решения этой проблемы создают сверхрешетку InGaAs/InAlAs, что позволяет увеличить удельное сопротивление на 4 порядка. Однако исследование динамики носителей заряда и генерации ТГц излучения в данных сверхрешетках в зависимости от энергии фотонов лазерных импульсов возбуждения до сих пор не проводилось.


основной = ЭБС Университетская библиотека




© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2026  v.20.203